SSM6J505NU,LF

SSM6J505NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
SSM6J505NU,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SSM6J505NU,LF Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
109089 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2393/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour SSM6J505NU,LF

SSM6J505NU,LF Description détaillée

Numéro d'article SSM6J505NU,LF
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 37.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 10V
Vgs (Max) ±6V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 4A, 4.5V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-UDFNB (2x2)
Paquet / cas 6-WDFN Exposed Pad
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR SSM6J505NU,LF