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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › STI100N10F7
STI100N10F7

STI100N10F7 - STMicroelectronics

Numero di parte
STI100N10F7
fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
STI100N10F7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
194770 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.84535/pcs
Il nostro prezzo
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STI100N10F7 Descrizione dettagliata

Numero di parte STI100N10F7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 25V
Vgs (massimo) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso -
Paese d'origine -

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