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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › STI100N10F7
STI100N10F7

STI100N10F7 - STMicroelectronics

Artikelnummer
STI100N10F7
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
MOSFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STI100N10F7 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
194770 pcs
Referenzpreis
USD 0.84535/pcs
Unser Preis
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STI100N10F7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STI100N10F7
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 80A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 25V
Vgs (Max) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262)
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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