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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › STI10NM60N
STI10NM60N

STI10NM60N - STMicroelectronics

Artikelnummer
STI10NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STI10NM60N PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2467 pcs
Referenzpreis
USD 2.42/pcs
Unser Preis
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STI10NM60N detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STI10NM60N
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 50V
Vgs (Max) ±25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 70W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAK
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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