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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › STI10NM60N
STI10NM60N

STI10NM60N - STMicroelectronics

Número de pieza
STI10NM60N
Fabricante
STMicroelectronics
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
STI10NM60N Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
2467 pcs
Precio de referencia
USD 2.42/pcs
Nuestro precio
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STI10NM60N Descripción detallada

Número de pieza STI10NM60N
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 50V
Vgs (Max) ±25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 4A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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