Número de pieza | STI11NM80 |
---|---|
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 150W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.5A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | I2PAK (TO-262) |
Paquete / caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Peso | - |
País de origen | - |