| Numero di parte | STI12NM50N |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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STI100N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET | Dettagli |
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STI10N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK | Dettagli |
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STI11NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | Dettagli |
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STI12N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK | Dettagli |
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STI12NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK | Dettagli |
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STI13NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK | Dettagli |
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STI14NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N CH 500V 12A I2PAK | Dettagli |
