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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › STI11NM60ND
STI11NM60ND

STI11NM60ND - STMicroelectronics

Numero di parte
STI11NM60ND
fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
STI11NM60ND Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4488 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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STI11NM60ND Descrizione dettagliata

Numero di parte STI11NM60ND
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 50V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso -
Paese d'origine -

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