| Numero di parte | 1N5622C.TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Avalanche |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 2A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | 23pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5610 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG | Dettagli |
 |
1N5611 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | Dettagli |
|
1N5613 | Microsemi Corporation | TVS DIODE C-BODY | Dettagli |
 |
1N5614 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Dettagli |
 |
1N5614GP | VISHAY | 1N5614GP VISHAY DO-15 New Original Stocks | Dettagli |
 |
1N5614GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | Dettagli |
|
1N5614GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | Dettagli |
|
1N5614GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | Dettagli |
 |
1N5614US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | Dettagli |
|
1N5615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Dettagli |
