• Italia
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi di protezione da sovratensioni, sovracorrenti, sovratemperature › TVS - Diodi › 1N5610
1N5610

1N5610 - Microsemi Corporation

Numero di parte
1N5610
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
1N5610 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
TVS - Diodi
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2 pcs
Prezzo di riferimento
USD 62.36/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per 1N5610

1N5610 Descrizione dettagliata

Numero di parte 1N5610
Stato parte Discontinued at Digi-Key
genere Zener
Canali unidirezionali 1
Canali bidirezionali -
Voltage - Reverse Standoff (Typ) 30.5V
Voltage - Breakdown (Min) 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp 47.6V
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) 32A
Potenza - Peak Pulse 1500W (1.5kW)
Protezione della linea di alimentazione No
applicazioni General Purpose
Capacità @ frequenza -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso G, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore G, Axial
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER 1N5610

Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
1N-SS119 1N-SS119 SEMTECH_ELEC SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE Dettagli
1N-SS254 1N-SS254 SEMTECH Packing Specification of 52mm Ammo Pack Dettagli
1N102 1N102 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Dettagli
1N103 1N103 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Dettagli
1N104 1N104 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Dettagli
1N107 1N107 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Dettagli
1N108 1N108 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Dettagli
1N1081 1N1081 EXSHINE 1N1081 Dettagli
1N1081A 1N1081A EXSHINE 1N1081 Dettagli
1N1082 1N1082 EXSHINE 1N1081 Dettagli