| Numero di parte | 1N5614 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | A, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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1N-SS119 | SEMTECH_ELEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Dettagli |
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1N-SS254 | SEMTECH | Packing Specification of 52mm Ammo Pack | Dettagli |
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1N102 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
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1N103 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
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1N104 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
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1N107 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
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1N108 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
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1N1081 | EXSHINE | 1N1081 | Dettagli |
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1N1081A | EXSHINE | 1N1081 | Dettagli |
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1N1082 | EXSHINE | 1N1081 | Dettagli |
