RSR010N10TL - Rohm Semiconductor

Numero di parte	RSR010N10TL
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TSMT3
Pacchetto / caso	SC-96
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
RSR010N10	R	RSR010N10 R SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
RSR010N10TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3	Dettagli
RSR015P02	R	RSR015P02 R SOT23 New Original Stocks	Dettagli
RSR015P03	ROHM	4V Drive Pch MOS FET	Dettagli
RSR015P03TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3	Dettagli
RSR020N06	ROHM	4V Drive Nch MOS FET	Dettagli
RSR020N06FSTL	ROHM	RSR020N06FSTL ROHM SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
RSR020N06TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3	Dettagli
RSR020P03	R	RSR020P03 R SOT23 New Original Stocks	Dettagli
RSR020P03TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3	Dettagli