RSR010N10TL - Rohm Semiconductor

Número de pieza	RSR010N10TL
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 1A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TSMT3
Paquete / caja	SC-96
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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