RSR010N10TL - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	RSR010N10TL
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	540mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 1A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TSMT3
Paket / Fall	SC-96
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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