RSR020N06TL - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	RSR020N06TL
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	540mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TSMT3
Paket / Fall	SC-96
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
RSR010N10	R	RSR010N10 R SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
RSR010N10TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3	Einzelheiten
RSR015P02	R	RSR015P02 R SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
RSR015P03	ROHM	4V Drive Pch MOS FET	Einzelheiten
RSR015P03TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3	Einzelheiten
RSR020N06	ROHM	4V Drive Nch MOS FET	Einzelheiten
RSR020N06FSTL	ROHM	RSR020N06FSTL ROHM SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
RSR020N06TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3	Einzelheiten
RSR020P03	R	RSR020P03 R SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
RSR020P03TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3	Einzelheiten