RSR020P03TL - Rohm Semiconductor

Número de pieza	RSR020P03TL
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4.3nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	370pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TSMT3
Paquete / caja	SC-96
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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