RSR020P03TL Descrizione dettagliata
Numero di parte |
RSR020P03TL |
Stato parte |
Not For New Designs |
Tipo FET |
P-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
4.3nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
370pF @ 10V |
Vgs (massimo) |
±20V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
120 mOhm @ 2A, 10V |
temperatura di esercizio |
- |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
TSMT3 |
Pacchetto / caso |
SC-96 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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