RSJ250P10FRATL - Rohm Semiconductor

Numero di parte	RSJ250P10FRATL
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8000pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Ta)
temperatura di esercizio	150°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LPTS
Pacchetto / caso	SC-83
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	RSJ250P10FRATL	Rohm Semiconductor	4V DRIVE PCH MOSFET AEC-Q101 QU	Dettagli
	RSJ250P10TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS	Dettagli