RSJ250P10FRATL - Rohm Semiconductor

부품 번호	RSJ250P10FRATL
부품 상태	Active
FET 유형	P-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	25A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	60nC @ 5V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	8000pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	50W (Ta)
작동 온도	150°C
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	LPTS
패키지 / 케이스	SC-83
무게	-
원산지	-

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	RSJ250P10FRATL	Rohm Semiconductor	4V DRIVE PCH MOSFET AEC-Q101 QU	세부
	RSJ250P10TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS	세부