RSJ250P10FRATL - Rohm Semiconductor

品番	RSJ250P10FRATL
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	25A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	63 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	60nC @ 5V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	8000pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	50W (Ta)
動作温度	150°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	LPTS
パッケージ/ケース	SC-83
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
	RSJ250P10FRATL	Rohm Semiconductor	4V DRIVE PCH MOSFET AEC-Q101 QU	詳細
	RSJ250P10TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS	詳細