RSJ250P10TL - Rohm Semiconductor

Numero di parte	RSJ250P10TL
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8000pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LPTS
Pacchetto / caso	SC-83
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	RSJ250P10FRATL	Rohm Semiconductor	4V DRIVE PCH MOSFET AEC-Q101 QU	Dettagli
	RSJ250P10TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS	Dettagli