RSJ250P10TL - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	RSJ250P10TL
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	25A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8000pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	50W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 25A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	LPTS
Paket / Fall	SC-83
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	RSJ250P10FRATL	Rohm Semiconductor	4V DRIVE PCH MOSFET AEC-Q101 QU	Einzelheiten
	RSJ250P10TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS	Einzelheiten