APT65GP60B2G

APT65GP60B2G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APT65GP60B2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT 600V 100A 833W TMAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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APT65GP60B2G Descrizione dettagliata

Numero di parte APT65GP60B2G
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A
Potenza - Max 833W
Cambiare energia 605µJ (on), 896µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 210nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 30ns/91ns
Condizione di test 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore -
Peso -
Paese d'origine -

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