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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › APT65GP60B2G
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT65GP60B2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 100A 833W TMAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT65GP60B2G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
297 pcs
Referenzpreis
USD 21.39/pcs
Unser Preis
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APT65GP60B2G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT65GP60B2G
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 250A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A
Leistung max 833W
Energie wechseln 605µJ (on), 896µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 30ns/91ns
Testbedingung 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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