Numero di parte | APT6010B2LLG |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 54A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6710pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 690W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 27A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Peso | - |
Paese d'origine | - |