APT6017LLLG - Microsemi Corporation

Numero di parte	APT6017LLLG
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 17.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-264 [L]
Pacchetto / caso	TO-264-3, TO-264AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
APT6010B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX	Dettagli
APT6010LFLL	APT	APT6010LFLL APT TO-264 New Original Stocks	Dettagli
APT6013JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227	Dettagli
APT6013LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 43A TO-264	Dettagli
APT6017B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX	Dettagli
APT6017LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 35A TO-264	Dettagli
APT6017LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 35A TO-264	Dettagli
APT6017WVR	APT	APT6017WVR APT TO3P New Original Stocks	Dettagli
APT6030BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD	Dettagli
APT6030BVFR	APT	APT6030BVFR APT TO-3P New Original Stocks	Dettagli