APT6017LLLG - Microsemi Corporation

номер части	APT6017LLLG
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	35A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	100nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4500pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	500W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 17.5A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-264 [L]
Упаковка / чехол	TO-264-3, TO-264AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT6010B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX	подробности
APT6010LFLL	APT	APT6010LFLL APT TO-264 New Original Stocks	подробности
APT6013JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227	подробности
APT6013LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 43A TO-264	подробности
APT6017B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX	подробности
APT6017LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 35A TO-264	подробности
APT6017LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 35A TO-264	подробности
APT6017WVR	APT	APT6017WVR APT TO3P New Original Stocks	подробности
APT6030BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD	подробности
APT6030BVFR	APT	APT6030BVFR APT TO-3P New Original Stocks	подробности