| Numero di parte | APT50GN60BDQ2G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 107A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 366W |
| Cambiare energia | 1185µJ (on), 1565µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 325nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 20ns/230ns |
| Condizione di test | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Dettagli |
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APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Dettagli |
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APT5010JFLL | APT | APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | Dettagli |
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APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | Dettagli |
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APT5010JN | APT | APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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APT5010JVR | APT | APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Dettagli |
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APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Dettagli |
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APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | Dettagli |
