| Numero di parte | APT5010B2FLLG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 23A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Dettagli |
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APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Dettagli |
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APT5010JFLL | APT | APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | Dettagli |
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APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | Dettagli |
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APT5010JN | APT | APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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APT5010JVR | APT | APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Dettagli |
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APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Dettagli |
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APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | Dettagli |
