| номер части | APT50GN60BDQ2G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | Trench Field Stop |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 600V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 107A |
| Текущий - коллектор импульсный (Icm) | 150A |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 50A |
| Мощность - макс. | 366W |
| Энергия переключения | 1185µJ (on), 1565µJ (off) |
| Тип ввода | Standard |
| Ворота затвора | 325nC |
| Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C | 20ns/230ns |
| Условия тестирования | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 [B] |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | подробности |
|
APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | подробности |
 |
APT5010JFLL | APT | APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks | подробности |
 |
APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | подробности |
|
APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | подробности |
|
APT5010JN | APT | APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks | подробности |
|
APT5010JVR | APT | APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks | подробности |
|
APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | подробности |
|
APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | подробности |
 |
APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | подробности |
