APT50GN60BDQ2G

APT50GN60BDQ2G - Microsemi Corporation

Número de pieza
APT50GN60BDQ2G
Fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
IGBT 600V 107A 366W TO247
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
285 pcs
Precio de referencia
USD 7.85/pcs
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APT50GN60BDQ2G Descripción detallada

Número de pieza APT50GN60BDQ2G
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 107A
Corriente - colector pulsado (Icm) 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A
Potencia - Max 366W
Conmutación de energía 1185µJ (on), 1565µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 325nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 20ns/230ns
Condición de prueba 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247 [B]
Peso -
País de origen -

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