| Número de pieza | APT5010B2LLG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 46A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 23A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | T-MAX™ [B2] |
| Paquete / caja | TO-247-3 Variant |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Detalles |
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APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Detalles |
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APT5010JFLL | APT | APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Detalles |
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APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | Detalles |
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APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | Detalles |
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APT5010JN | APT | APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Detalles |
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APT5010JVR | APT | APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Detalles |
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APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Detalles |
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APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Detalles |
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APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | Detalles |
