| Numero di parte | MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH, RAM |
| Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Dimensione della memoria | 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Frequenza di clock | 533MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.8V |
| temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G DDR2 | Dettagli |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | Dettagli |
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA | Dettagli |
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