| 부품 번호 | MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 형식 | FLASH, RAM |
| 과학 기술 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| 메모리 크기 | 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| 클럭 주파수 | 533MHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 액세스 시간 | - |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 1.8V |
| 작동 온도 | -25°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G DDR2 | 세부 |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G DDR2 | 세부 |
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MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | 세부 |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | 세부 |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | 세부 |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F | Micron Technology Inc. | IC FLASH | 세부 |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH | 세부 |
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA | 세부 |
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | 세부 |
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MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U | Micron Technology Inc. | IC FLASH 8G DDR | 세부 |
