| 品番 | MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | FLASH, RAM |
| 技術 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| メモリー容量 | 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| クロック周波数 | 533MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| アクセス時間 | - |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 1.8V |
| 動作温度 | -25°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G DDR2 | 詳細 |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G DDR2 | 詳細 |
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MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | 詳細 |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | 詳細 |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | 詳細 |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F | Micron Technology Inc. | IC FLASH | 詳細 |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH | 詳細 |
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA | 詳細 |
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | 詳細 |
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MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U | Micron Technology Inc. | IC FLASH 8G DDR | 詳細 |
