MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR - Micron Technology Inc.

Numero di parte: MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR
fabbricante: Micron Technology Inc.
Breve descrizione: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Memoria
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Codice data: New
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Numero di parte	MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	FLASH, RAM
Tecnologia	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Dimensione della memoria	4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Frequenza di clock	533MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	-
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.8V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	-
Pacchetto / caso	-
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G DDR2	Dettagli
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G DDR2	Dettagli
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR	Micron Technology Inc.	MASSFLASH/LPDDR2 6G	Dettagli
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	Dettagli
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	Dettagli
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F	Micron Technology Inc.	IC FLASH	Dettagli
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH	Dettagli
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA	Dettagli
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR	Micron Technology Inc.	MASSFLASH/LPDDR2 6G	Dettagli