MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR - Micron Technology Inc.

Numéro d'article: MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR
Fabricant: Micron Technology Inc.
Brève description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie: Mémoire
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Quantité en stock: 20825 pcs
Prix de référence: USD 8.79015/pcs
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Numéro d'article	MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de la mémoire	FLASH, RAM
La technologie	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Taille mémoire	4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Fréquence d'horloge	533MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	-
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.8V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	-
Paquet / cas	-
Package de périphérique fournisseur	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G DDR2	Détails
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G DDR2	Détails
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR	Micron Technology Inc.	MASSFLASH/LPDDR2 6G	Détails
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	Détails
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	Détails
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F	Micron Technology Inc.	IC FLASH	Détails
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH	Détails
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA	Détails
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR	Micron Technology Inc.	MASSFLASH/LPDDR2 6G	Détails