| Numéro d'article | MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de la mémoire | FLASH, RAM |
| La technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Taille mémoire | 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Fréquence d'horloge | 533MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface de mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.8V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G DDR2 | Détails |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G DDR2 | Détails |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | Détails |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | Détails |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F | Micron Technology Inc. | IC FLASH | Détails |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH | Détails |
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA | Détails |
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | Détails |
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MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U | Micron Technology Inc. | IC FLASH 8G DDR | Détails |
