MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F - Micron Technology Inc.

номер части	MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH, RAM
Технологии	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Размер памяти	4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Частота часов	533MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	-
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	1.8V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	-
Упаковка / чехол	-
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G DDR2	подробности
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G DDR2	подробности
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR	Micron Technology Inc.	MASSFLASH/LPDDR2 6G	подробности
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	подробности
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	подробности
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F	Micron Technology Inc.	IC FLASH	подробности
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH	подробности
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA	подробности
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR	Micron Technology Inc.	MASSFLASH/LPDDR2 6G	подробности
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U	Micron Technology Inc.	IC FLASH 8G DDR	подробности