MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR - Micron Technology Inc.

номер части: MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
производитель: Micron Technology Inc.
Краткое описание: IC FLASH 6G DDR2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных: MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл: -
категория: Память
Срок поставки: 1 Day
Код даты: New
Количество на складе: 3583 pcs
Справочная цена: USD 0/pcs
Наша цена: Отправить по электронной почте: [email protected]

номер части	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Статус детали	Obsolete
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH, RAM
Технологии	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Размер памяти	4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Частота часов	533MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	-
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	1.8V
Рабочая Температура	-25°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	-
Упаковка / чехол	-
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G DDR2	подробности
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G DDR2	подробности
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR	Micron Technology Inc.	MASSFLASH/LPDDR2 6G	подробности
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	подробности
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	подробности
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F	Micron Technology Inc.	IC FLASH	подробности
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH	подробности
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA	подробности
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR	Micron Technology Inc.	MASSFLASH/LPDDR2 6G	подробности