MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR - Micron Technology Inc.

Artikelnummer
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
IC FLASH 6G DDR2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4261 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat FLASH, RAM
Technologie FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Speichergröße 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Taktfrequenz 533MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.8V
Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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