| Artikelnummer | MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH, RAM |
| Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Speichergröße | 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.8V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G DDR2 | Einzelheiten |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G DDR2 | Einzelheiten |
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MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | Einzelheiten |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | Einzelheiten |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | Einzelheiten |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F | Micron Technology Inc. | IC FLASH | Einzelheiten |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH | Einzelheiten |
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA | Einzelheiten |
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | Einzelheiten |
