IXTN660N04T4

IXTN660N04T4 - IXYS

Numero di parte
IXTN660N04T4
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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IXTN660N04T4 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXTN660N04T4
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 660A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 860nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 44000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±15V
Caratteristica FET Current Sensing
Dissipazione di potenza (max) 1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.85 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Peso -
Paese d'origine -

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