| Artikelnummer | IXTN660N04T4 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 660A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 860nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 44000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| FET-Eigenschaft | Current Sensing |
| Verlustleistung (Max) | 1040W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 0.85 mOhm @ 100A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227B |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
IXTN102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 | Einzelheiten |
 |
IXTN110N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227 | Einzelheiten |
|
IXTN120N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 | Einzelheiten |
|
IXTN120P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227 | Einzelheiten |
|
IXTN170P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 170A SOT227 | Einzelheiten |
|
IXTN17N120L | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B | Einzelheiten |
|
IXTN200N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227 | Einzelheiten |
|
IXTN200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 | Einzelheiten |
|
IXTN210P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227 | Einzelheiten |
|
IXTN21N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B | Einzelheiten |
