IXTN200N10L2 - IXYS

Numero di parte	IXTN200N10L2
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	178A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	540nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227B
Pacchetto / caso	SOT-227-4, miniBLOC
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXTN102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227	Dettagli
IXTN110N20L2	IXYS	MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227	Dettagli
IXTN120N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227	Dettagli
IXTN120P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227	Dettagli
IXTN170P10P	IXYS	MOSFET P-CH 100V 170A SOT227	Dettagli
IXTN17N120L	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B	Dettagli
IXTN200N10L2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227	Dettagli
IXTN200N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227	Dettagli
IXTN210P10T	IXYS	MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227	Dettagli
IXTN21N100	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B	Dettagli