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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IPD06N03LA G
IPD06N03LA G

IPD06N03LA G - Infineon Technologies

Numero di parte
IPD06N03LA G
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IPD06N03LA G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IPD06N03LA G.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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IPD06N03LA G Descrizione dettagliata

Numero di parte IPD06N03LA G
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2653pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
Paese d'origine -

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