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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPD06N03LA G
IPD06N03LA G

IPD06N03LA G - Infineon Technologies

品番
IPD06N03LA G
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPD06N03LA G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IPD06N03LA G.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3968 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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IPD06N03LA G 詳細な説明

品番 IPD06N03LA G
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 25V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 50A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 40µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 22nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2653pF @ 15V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 83W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 5.7 mOhm @ 30A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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