IPD034N06N3GATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	IPD034N06N3GATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11000pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	167W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	IPD034N06N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3	Dettagli
	IPD034N06N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3	Dettagli