IPD034N06N3GATMA1

IPD034N06N3GATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPD034N06N3GATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
214300 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.76831/pcs
Notre prix
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IPD034N06N3GATMA1 Description détaillée

Numéro d'article IPD034N06N3GATMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 93µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 167W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO252-3
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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