BSO200N03S

BSO200N03S - Infineon Technologies

Numero di parte
BSO200N03S
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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BSO200N03S Descrizione dettagliata

Numero di parte BSO200N03S
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8.8A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-DSO-8
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
Paese d'origine -

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